在100nm厚PMMA膠、30kV加速電壓的測試中，優(yōu)化后的150μC/cm2劑量組展現(xiàn)出突破性效果（圖5）：

中心區(qū)域圖形均勻性提升80%

邊緣孤立圖形尺寸偏差從±25%縮小至±8%

整體分辨率達到設計線寬500nm的±3%誤差范圍內(nèi)

四、技術展望：讓中國智造更“精密"

盡管當前技術對復雜圖形的適應性仍有提升空間，但澤攸科技已將該算法集成至自主開發(fā)的HNU-EBL軟件中。未來結(jié)合AI預測模型和實時電子束調(diào)控，有望將校正精度推進至亞納米級。正如團隊負責人所言：“解決鄰近效應，就是打開量子器件、光子芯片產(chǎn)業(yè)化大門的鑰匙。"

澤攸 EBL 電子光刻，作為前沿的微納加工技術，無需掩模即可實現(xiàn)納米級圖案直寫。其工作原理是借助聚焦電子束，精準作用于電子敏感光刻膠表面。澤攸科技憑借自主研發(fā)實力，構(gòu)建起完備的技術體系。旗下 ZEL304G 機型亮點突出，配備高亮度、低發(fā)散的肖特基場發(fā)射電子槍，確保電子束精準 “繪制" 納米線條；標配的激光干涉樣品臺，定位精度達亞納米級，支持大行程高精度拼接與多圖層套刻；高性能圖形發(fā)生器采用 20 位 D/A 轉(zhuǎn)換器與 50MHz 高速掃描模塊，實現(xiàn)超高速掃描與≤1nm@15kV 的超高圖像分辨率，最小單次曝光線寬僅 2nm。此外，還內(nèi)置鄰近效應校正功能，有效提升納米圖案均勻性。在科研與工業(yè)領域，澤攸 EBL 電子光刻助力二維材料器件制備，為微機電系統(tǒng)、光刻掩膜制造等提供高精度加工方案 ，推動行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。