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INSTEC真空高溫探針臺(tái)型號(hào)差異解析

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INSTEC真空高溫探針臺(tái)型號(hào)差異解析
INSTECH P1000V-MPS 真空高溫探針臺(tái)在 INSTECH 探針臺(tái)系列中,屬于聚焦真空高溫場(chǎng)景的型號(hào),與同系列其他型號(hào)(如 P800V、P1200V-MPS 等)相比,在功能、參數(shù)與適用場(chǎng)景上存在差異,用戶可根據(jù)測(cè)試需求選擇適配型號(hào)。

產(chǎn)品型號(hào):P1000V MPS
更新時(shí)間:2025-10-23
廠商性質(zhì):代理商
訪問(wèn)量:66
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INSTEC真空高溫探針臺(tái)型號(hào)差異解析

      INSTECH P1000V-MPS 真空高溫探針臺(tái)在 INSTECH 探針臺(tái)系列中,屬于聚焦真空高溫場(chǎng)景的型號(hào),與同系列其他型號(hào)(如 P800V、P1200V-MPS 等)相比,在功能、參數(shù)與適用場(chǎng)景上存在差異,用戶可根據(jù)測(cè)試需求選擇適配型號(hào)。
首先從核心功能差異來(lái)看,P1000V-MPS 以 “真空 + 高溫" 為核心組合,真空系統(tǒng)與高溫溫控系統(tǒng)的性能配置均衡,適配多數(shù)常規(guī)高溫真空測(cè)試需求;而同系列的 P800V 型號(hào),真空        性能與 P1000V-MPS 接近,但高溫控制上限較低,更適合對(duì)溫度要求不高(如最高溫度需求在 300℃以下)的真空測(cè)試場(chǎng)景,如部分半導(dǎo)體元件的低溫真空可靠性測(cè)試。另一型號(hào) P1200V-MPS 則側(cè)重更高溫度需求,最高工作溫度可超過(guò) P1000V-MPS,能滿足陶瓷材料、高溫合金等需超高溫測(cè)試的場(chǎng)景,但真空系統(tǒng)性能與 P1000V-MPS 基本一致,且設(shè)備整體尺寸與功耗略高于 P1000V-MPS。
      參數(shù)配置差異體現(xiàn)在多維度,溫度方面,P1000V-MPS 最高溫度約為 500-600℃,P800V 約為 300-400℃,P1200V-MPS 則可達(dá) 800-1000℃;溫度控制波動(dòng)范圍三者相近,均能維持在較小區(qū)間。真空方面,三者極限真空度均能達(dá)到 10?3Pa 級(jí)別,但 P1000V-MPS 與 P1200V-MPS 的真空抽速略快于 P800V,在處理較大腔體或需快速抽真空的場(chǎng)景中更具優(yōu)勢(shì)。探針配置上,P1000V-MPS 支持 4-6 組探針,P800V 通常支持 2-4 組,P1200V-MPS 則可擴(kuò)展至 6-8 組,適配更多通道同步測(cè)試需求;同時(shí),P1200V-MPS 的探針調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)精度略高,適合對(duì)針尖定位要求更嚴(yán)格的測(cè)試場(chǎng)景。
       樣品臺(tái)與兼容性差異同樣明顯,P1000V-MPS 樣品臺(tái)常規(guī)尺寸約為 50-80mm,支持定制最大尺寸約 100mm;P800V 樣品臺(tái)常規(guī)尺寸略小,約為 40-60mm,定制上限也較低;P1200V-MPS 樣品臺(tái)常規(guī)尺寸與 P1000V-MPS 相近,但支持更高溫度下的樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)功能,可實(shí)現(xiàn)樣品多角度測(cè)試。此外,P1200V-MPS 還兼容更多類型的樣品固定夾具,如高溫陶瓷夾具、金屬?gòu)椥詩(shī)A具等,適配特殊材質(zhì)樣品的固定需求;而 P1000V-MPS 與 P800V 則以常規(guī)金屬夾具為主,兼容性相對(duì)基礎(chǔ)。
      

INSTEC真空高溫探針臺(tái)型號(hào)差異解析

適用場(chǎng)景差異需結(jié)合需求匹配,P1000V-MPS 適合半導(dǎo)體芯片高溫真空測(cè)試、常規(guī)耐高溫材料電學(xué)性能檢測(cè)等中等溫度與通道需求的場(chǎng)景;P800V 適合小型電子元件低溫真空測(cè)試、低成本預(yù)算的基礎(chǔ)真空測(cè)試場(chǎng)景;P1200V-MPS 則適合超高溫材料研發(fā)、多通道復(fù)雜元件測(cè)試等需求場(chǎng)景。用戶在選擇時(shí),需綜合評(píng)估溫度需求、真空效率、探針數(shù)量、樣品尺寸等因素,避免因型號(hào)功能冗余或不足影響測(cè)試效率。
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