針對(duì)科研場(chǎng)景需求，Sensofar S neox 推出科研定制款，在基礎(chǔ)款之上強(qiáng)化了參數(shù)精度、功能擴(kuò)展性與數(shù)據(jù)追溯能力。
產(chǎn)品細(xì)節(jié)上，科研版保持模塊化設(shè)計(jì)，可加裝高溫、低溫樣品臺(tái)或電學(xué)測(cè)試附件，實(shí)現(xiàn)原位環(huán)境下的 3D 輪廓測(cè)量。操作界面除 15.6 英寸觸控屏外，支持外接專業(yè)繪圖板，方便在測(cè)量圖像上標(biāo)注特征區(qū)域，直接完成數(shù)據(jù)分析標(biāo)注。樣品臺(tái)新增 “手動(dòng)微調(diào)" 模式，搭配精度 0.01mm 的刻度標(biāo)尺，便于精準(zhǔn)定位與重復(fù)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
性能方面，光源升級(jí)為高穩(wěn)定性 LED 白光，光譜輸出波動(dòng) ±2% 以內(nèi)，保障長(zhǎng)期實(shí)驗(yàn)的數(shù)據(jù)一致性。圖像傳感器采用 200 萬(wàn)像素背照式 CMOS，量子效率在 450nm～650nm 波段達(dá) 70%，可捕捉低反射率納米材料的微弱信號(hào)。白光干涉模塊新增 “動(dòng)態(tài)干涉條紋分析" 功能，縱向分辨率優(yōu)化至 0.05nm，測(cè)量范圍覆蓋 0.5nm～10mm，能精準(zhǔn)測(cè)量 10nm 金屬薄膜厚度與毫米級(jí)臺(tái)階高度差。
科研版還具備 “時(shí)間序列測(cè)量" 功能，可設(shè)置 10 秒 / 次至 1 小時(shí) / 次的間隔，連續(xù)記錄材料在外界刺激下的結(jié)構(gòu)變化，如納米涂層加熱收縮、水凝膠吸水膨脹等動(dòng)態(tài)過程。軟件內(nèi)置 “數(shù)據(jù)溯源" 功能，自動(dòng)記錄光源強(qiáng)度、環(huán)境溫度等參數(shù)并與測(cè)量數(shù)據(jù)綁定，確保實(shí)驗(yàn)可重復(fù)性。
科研版核心參數(shù)表
用途涵蓋碳納米管薄膜粗糙度測(cè)量、量子點(diǎn)薄膜厚度分析、生物支架孔隙結(jié)構(gòu)評(píng)估等。使用時(shí)若進(jìn)行原位測(cè)量，需提前安裝對(duì)應(yīng)附件并校準(zhǔn)環(huán)境參數(shù)，如高溫測(cè)量需保溫 30 分鐘確保溫度穩(wěn)定。
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更新時(shí)間：2025-10-11
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