在可再生能源與下一代電力電子設備領域，第三代半導體材料的作用日益凸顯。與傳統(tǒng)硅基材料相比，這些先進化合物在高溫、高壓和強輻射環(huán)境下表現(xiàn)出更穩(wěn)定的性能，其中合成鉆石（又稱人造鉆石）因其獨特的物理特性成為研究熱點。

合成鉆石脫穎而出得益于以下幾項特性：

耐熱性：能夠承受極duan高溫環(huán)境。

導熱性：具有優(yōu)異的導熱性能，有助于器件散熱。

光學透明度：對光學頻率具有高度透明度，適用于光電設備。

輻射硬度：在輻射環(huán)境下仍能保持結構完整性。

然而，合成鉆石在生長過程中即使出現(xiàn)微小缺陷也會影響其性能。因此，必須在微米或納米尺度上精確測量其結構完整性，以確保材料滿足苛刻的應用要求。

Sensofar S neox光學干涉測量技術為解決這一挑戰(zhàn)提供了方案。該技術能夠：

捕捉最細的表面細節(jié)

精確測量高深寬比和陡坡結構

減少復雜幾何形狀中的測量誤差

這種精度水平對于確保合成鉆石滿足下一代電力電子設備的嚴格要求至關重要。在能源和電子領域，材料的性能很大程度上取決于制造過程中的精確控制和測量。

S neox系統(tǒng)提供了全面的表面測量解決方案，能夠應對合成鉆石檢測中的各種挑戰(zhàn)，為第三代半導體材料的研究和質(zhì)量控制提供技術支持。